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- Minimum Operating Temperature :
- Pd - Power Dissipation :
- Rise Time :
- Peak Wavelength :
5 Produto
| Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Product | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Pd - Power Dissipation | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | Rise Time | Fall Time | Peak Wavelength | Dark Current | Maximum On-State Collector Current | |
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11,260
Disponível EM stock
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OSRAM Opto Semiconductors | Phototransistors PHOTODIODE | Phototransistors | Through Hole | TO-18 | - 40 C | + 125 C | 200 mW | 35 V | 9 us | 9 us | 830 nm | 50 nA | 100 mA | ||
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1,706
Disponível EM stock
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OSRAM Opto Semiconductors | Phototransistors PHOTODIODE | Phototransistors | Through Hole | TO-18 | - 40 C | + 125 C | 200 mW | 35 V | 7 us, 9 us | 7 us, 9 us | 830 nm | 50 nA | 100 mA | ||
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888
Disponível EM stock
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OSRAM Opto Semiconductors | Phototransistors PHOTODIODE | TO-18 | - 40 C | + 125 C | 200 mW | 830 nm | 50 nA | 100 mA | |||||||
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Ver | Sharp Microelectronics | Phototransistors PT550 w/ visible lite cut off | TO-18 | - 25 C | + 125 C | 150 mW | 35 V | 350 us | 300 us | 800 nm | 1 uA | 100 mA | |||||
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Ver | Sharp Microelectronics | Phototransistors Darlington Output Ver PT501 3-142mA | TO-18 | - 25 C | + 125 C | 150 mW | 35 V | 350 us | 300 us | 800 nm | 1 uA | 100 mA |
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