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5 Produto
| Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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3,370
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 24.8 A | 170 mOhms | 2.5 V | 47.2 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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254
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 24.8 A | 170 mOhms | 2.5 V | 47.2 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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453
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 63A TO247-3 | +/- 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 24.8 A | 170 mOhms | 2.5 V | 47.2 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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957
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 24.8 A | 170 mOhms | 2.5 V | 47.2 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
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2,075
Disponível EM stock
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Nexperia | MOSFET N-CH TRENCHMOS STD LVL FET | SMD/SMT | LFPAK56-5 | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 24.8 A | 40 mOhms |
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