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34 Produto
| Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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2,319
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel PowerTrench MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 62 A | 22.9 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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1,121
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 200V N-Channel PowerTrench | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 62 A | 27 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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2,449
Disponível EM stock
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Infineon / IR | MOSFET MOSFT 30V 62A 12mOhm 24nC | 12 V | Through Hole | TO-220-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 62 A | 13.5 mOhms | 24 nC | |||||||
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4,084
Disponível EM stock
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Infineon / IR | MOSFET 75V 1 N-CH HEXFET 12.6mOhms 89nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 62 A | 12.6 mOhms | 4 V | 89 nC | Enhancement | |||
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110
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 62 Amps 500V | 30 V | Chassis Mount | SOT-227-4 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 62 A | 100 mOhms | 5.5 V | 550 nC | Enhancement | Linear | ||
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4,226
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 30V 62A 9mOhm 8nC Qg | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 62 A | 8.7 mOhms | 1.8 V | 7.6 nC | ||||
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1,153
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET N-Channel PowerTrench | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 62 A | 11.5 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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614
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET PWR MOSFET 26mOhms | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 40 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 62 A | 26 mOhms | 70 nC | Enhancement | ||||
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347
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 250V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 30 V | Through Hole | TO-3PN-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 62 A | 35 mOhms | Enhancement | QFET | ||||
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817
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 200V 62A 26mOhm 70nC Qg | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 40 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 200 V | 62 A | 26 mOhms | 70 nC | Enhancement | ||||
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45
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A | 30 V | Through Hole | PLUS-264-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 800 V | 62 A | 140 mOhms | 270 nC | HyperFET | ||||||
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25
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 62 Amps 500V 0.1 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 62 A | 100 mOhms | Enhancement | |||||
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1,092
Disponível EM stock
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch Clamped 62 Amp | 18 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 33 V | 62 A | 15 mOhms | Enhancement | |||||
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183
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 62 A | 33 mOhms | 5.5 V | 70 nC | Enhancement | PolarHT | ||
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707
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 11 mOhms | 4 V | 40 nC | Enhancement | |||
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178
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 62 A | 40 mOhms | Enhancement | |||||
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340
Disponível EM stock
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Nexperia | MOSFET PSMN014-80YL/LFPAK/REEL 7" Q1/ | 20 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 62 A | 11.3 mOhms | 1.4 V | 56.9 nC | Enhancement | |||
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1,600
Disponível EM stock
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Infineon / IR | MOSFET MOSFET 75V D2PAK | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 62 A | 10.5 mOhms | 2 V | 130 nC | Enhancement | |||
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1,544
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 62 A | 10.7 mOhms | 4 V | 58 nC | Enhancement | StrongIRFET | ||
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3,000
Disponível EM stock
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Nexperia | MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET | 15 V | SMD/SMT | LFPAK56-5 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 62 A | 12.2 mOhms | 1.7 V | 28.9 nC | Enhancement | |||
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Ver | Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | 15 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 13.6 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ver | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 11 mOhms | 40 nC | Enhancement | ||||||
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Ver | IXYS | MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds | SMD/SMT | TO-263-3 | Tube | Si | N-Channel | 250 V | 62 A | 50 Ohms | |||||||||||
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Ver | IXYS | MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds | Through Hole | TO-247-3 | Tube | Si | N-Channel | 250 V | 62 A | 50 Ohms | |||||||||||
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Ver | IXYS | MOSFET 62 Amps 250V 50 Rds | Through Hole | TO-3P-3 | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 250 V | 62 A | 50 Ohms | ||||||||||
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4
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 62 Amps 150V 0.04 Rds | 20 V | Through Hole | TO-3P-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 62 A | 40 mOhms | Enhancement | |||||
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Ver | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 55V 62A 11mOhm 40nC Qg | SMD/SMT | TO-252-3 | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 11 mOhms | 4 V | 60 nC | |||||||
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Ver | Nexperia | MOSFET TAPE13 MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 15 mOhms | Enhancement | ||||||
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Ver | Infineon Technologies | MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 40nC | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 11 mOhms | 4 V | 40 nC | Enhancement | ||||
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Ver | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 11mOhms | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 55 V | 62 A | 11 mOhms | 40 nC | Enhancement |
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