- Vgs - Gate-Source Voltage :
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- Transistor Polarity :
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56 Produto
| Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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34,747
Disponível EM stock
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Nexperia | MOSFET N-CH 30V 0.85A | 8 V | SMD/SMT | SOT-23-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 850 mA | 500 mOhms | Enhancement | |||||
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91,942
Disponível EM stock
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Diodes Incorporated | MOSFET 20V N-Ch ENH Mode 175mOhm 4.5V 1.30A | 8 V | SMD/SMT | X2-DFN1006-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 1.3 A | 500 mOhms | 0.95 V | 1.6 nC | Enhancement | |||
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12,393
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode | 20 V | SMD/SMT | SSOT-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 30 V | - 900 mA | 500 mOhms | Enhancement | |||||
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763
Disponível EM stock
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 13.5 A | 500 mOhms | 75 nC | Enhancement | ||||
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4,106
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.17 A | 500 mOhms | - 2 V | 5.2 nC | Enhancement | |||
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1,513
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET 400V N-Channel Adv Q-FET C-Series | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 400 V | 10.5 A | 500 mOhms | Enhancement | |||||
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725
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 11A TO247-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 11 A | 500 mOhms | Enhancement | CoolMOS | ||||
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3,703
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V -1.17A SOT-223-3 | +/- 20 V | SMD/SMT | SOT-223-4 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 60 V | - 1.17 A | 500 mOhms | - 2 V | 7.8 nC | Enhancement | |||
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417
Disponível EM stock
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STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 600V-0.45ohms 13.5A | 30 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 13.5 A | 500 mOhms | Enhancement | |||||
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60
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 26 A | 500 mOhms | 6.5 V | 255 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||
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75
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 26 Amps 1200V | 30 V | Through Hole | TO-264-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 26 A | 500 mOhms | 6.5 V | 255 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||
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8,014
Disponível EM stock
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ON Semiconductor | MOSFET 20V 915mA N-Channel | 6 V | SMD/SMT | SC-89-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 20 V | 915 mA | 500 mOhms | Enhancement | |||||
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4,388
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET -20V Sngle PCh -1.5V Specified PowerTrnch | 8 V | SMD/SMT | SOT-523F-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 830 mA | 500 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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2,900
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET -20VSgl P-Ch -2.5V Spec PwrTrch MOSFET | 8 V | SMD/SMT | SOT-523F-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 350 mA | 500 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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2,134
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET -20V DUAL P-CHAN POWERTRENCH | 8 V | SMD/SMT | SOT-523F-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 830 mA | 500 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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3,290
Disponível EM stock
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Fairchild Semiconductor | MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench | 20 V | SMD/SMT | SSOT-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 1 A | 500 mOhms | Enhancement | PowerTrench | ||||
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2,943
Disponível EM stock
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Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET P-CHANNEL | 6 V | SMD/SMT | SOT-563-6 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 20 V | - 1.03 A | 500 mOhms | 622.4 pC | |||||
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283
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 500V 12A | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 12 A | 500 mOhms | 5.5 V | 29 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||
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479
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 7.6A TO220-3 CoolMOS CE | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 7.6 A | 500 mOhms | 18.7 nC | CoolMOS | |||||
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184
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500 | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 12 A | 500 mOhms | Enhancement | HyperFET | ||||
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160
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | N-Channel | 650 V | 8 A | 500 mOhms | 3 V | 12 nC | Enhancement | ||||
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28
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 32 Amps 1200V 0.46 Rds | 30 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 1200 V | 15 A | 500 mOhms | 6.5 V | 225 nC | Enhancement | Polar, HiPerFET | ||
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227
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | Si | N-Channel | 650 V | 8 A | 500 mOhms | 3 V | 12 nC | Enhancement | ||||
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136
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 8 A | 500 mOhms | 3 V | 12 nC | Enhancement | |||
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100
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 8 A | 500 mOhms | 3 V | 12 nC | Enhancement | |||
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Obter UMA citação |
150
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | 30 V | Through Hole | TO-251-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 8 A | 500 mOhms | 2.5 V | 12 nC | Enhancement | |||
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200
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 700V/8A Ultra Junct X2-Class MOSFET | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 700 V | 8 A | 500 mOhms | 3 V | 12 nC | Enhancement | |||
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2
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 900V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 11 A | 500 mOhms | 68 nC | Enhancement | CoolMOS | |||
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197
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 500V 5.4A TO220FP-3 CoolMOS CE | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 7.6 A | 500 mOhms | 18.7 nC | CoolMOS | |||||
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52
Disponível EM stock
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IXYS | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 500 V | 12 A | 500 mOhms | 5.5 V | 29 nC | Enhancement | Polar |
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