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- Maximum Operating Temperature :
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10 Produto
Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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2,702
Disponível EM stock
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Vishay Semiconductors | MOSFET -60V -8A 27W AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 60 V, - 60 V | - 8 A, - 8 A | 0.067 Ohms, 0.067 Ohms | - 2.5 V, - 2.5 V | 40 nC, 40 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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5,646
Disponível EM stock
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Vishay Semiconductors | MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 60 V, - 60 V | - 4.4 A, - 4.4 A | 0.07 Ohms, 0.07 Ohms | - 2.5 V, - 2.5 V | 40 nC, 40 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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1,469
Disponível EM stock
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Vishay Semiconductors | MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 60 V, - 60 V | - 8 A, - 8 A | 0.04 Ohms, 0.04 Ohms | - 2.5 V, - 2.5 V | 65 nC, 65 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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2,900
Disponível EM stock
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ROHM Semiconductor | MOSFET -30V Pch+Pch Si MOSFET | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | HUML2020L-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 4 A, - 4 A | 55 mOhms, 55 mOhms | - 2.5 V, - 2.5 V | 6.7 nC, 6.7 nC | Enhancement | ||||
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3,000
Disponível EM stock
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Vishay Semiconductors | MOSFET Dual P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-SO-8L-4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 30 A, - 30 A | 0.014 Ohms, 0.014 Ohms | - 2.5 V, - 2.5 V | 50 nC, 50 nC | Enhancement | TrenchFET | |||
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3,000
Disponível EM stock
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ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Pch+Pc Si MOSFET | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | TSST-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 2.5 A, - 2.5 A | 65 mOhms, 65 mOhms | - 2.5 V, - 2.5 V | 4.8 nC, 4.8 nC | Enhancement | ||||
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Ver | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 5 A, - 5 A | 0.056 Ohms, 0.056 Ohms | - 2.5 V, - 2.5 V | 15 nC, 15 nC | Enhancement | TrenchFET | ||||
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Ver | Vishay / Siliconix | MOSFET Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | SO-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 7.5 A, - 7.5 A | 0.028 Ohms, 0.028 Ohms | - 2.5 V, - 2.5 V | 30 nC, 30 nC | Enhancement | TrenchFET | ||||
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3,000
Disponível EM stock
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ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 4A 8PIN | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | TSMT-8 | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 4 A, - 4 A | 40 mOhms, 40 mOhms | - 2.5 V, - 2.5 V | 13 nC, 13 nC | Enhancement | |||||
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Ver | ROHM Semiconductor | MOSFET TRANS MOSFET PCH 30V 5A 8PIN | +/- 20 V, +/- 20 V | SMD/SMT | TSMT-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 2 Channel | Si | P-Channel | - 30 V, - 30 V | - 5 A, - 5 A | 28 mOhms, 28 mOhms | - 2.5 V, - 2.5 V | 19 nC, 19 nC | Enhancement |
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