- Fabricante :
- Vgs - Gate-Source Voltage :
- Mounting Style :
- Package / Case :
-
- DirectFET-M4 (1)
- DirectFET-MN (1)
- DirectFET-MX (3)
- HSOF-8 (1)
- LFPAK56-5 (1)
- Power-56-8 (1)
- PowerPAK-1212-8W (1)
- PowerPAK-SO-8L-4 (4)
- SO-8 (3)
- SO-FL-8 (1)
- SOP-Advance-8 (1)
- SOT-457T-6 (1)
- TDSON-8 (8)
- TO-220-3 (16)
- TO-220F-3 (1)
- TO-220FP-3 (2)
- TO-247-3 (6)
- TO-247-4 (1)
- TO-252-3 (7)
- TO-262-3 (2)
- TO-263-3 (14)
- TO-263-7 (1)
- TSDSON-8 (6)
- VSON-4 (2)
- VSONP-8 (3)
- WDFN-8 (1)
- WDSON-2-3 (2)
- Minimum Operating Temperature :
- Maximum Operating Temperature :
- Number of Channels :
- Transistor Polarity :
- Vds - Drain-Source Breakdown Voltage :
- Id - Continuous Drain Current :
-
- +/- 12 A (1)
- - 10.8 A (1)
- - 5 A (1)
- 10.3 A (1)
- 100 A (6)
- 105 A (1)
- 107 A (1)
- 110 A (1)
- 12 A (5)
- 13 A (4)
- 13.7 A (5)
- 15 A (2)
- 16 A (1)
- 160 A (2)
- 18 A (6)
- 19 A (1)
- 190 A (1)
- 20 A (7)
- 213 A (1)
- 23 A (1)
- 24 A (1)
- 25 A (2)
- 30 A (1)
- 35 A (3)
- 36 A (1)
- 40 A (6)
- 45 A (2)
- 46 A (2)
- 48 A (1)
- 5.4 A (1)
- 58 A (4)
- 59 A (1)
- 6.3 A (1)
- 60 A (1)
- 63 A (1)
- 65 A (1)
- 68 A (1)
- 70 A (2)
- 73 A (1)
- 76 A (1)
- 8 A, 17 A (1)
- 80 A (4)
- 9 A (1)
- 90 A (1)
- 98 A (2)
- Rds On - Drain-Source Resistance :
-
- 0.0065 Ohms (1)
- 1.2 mOhms (1)
- 1.3 Ohms (1)
- 1.6 Ohms (1)
- 10.2 mOhms (1)
- 10.3 mOhms (1)
- 10.5 mOhms (2)
- 10.7 mOhms (2)
- 10.8 mOhms (1)
- 11 mOhms (3)
- 11.2 mOhms (1)
- 11.3 mOhms (1)
- 11.8 mOhms (1)
- 111 mOhms (6)
- 115 mOhms (2)
- 13 mOhms (2)
- 13.1 mOhms (2)
- 13.5 mOhms (1)
- 14.8 mOhms (1)
- 140 mOhms (1)
- 15.5 mOhms (1)
- 150 mOhms (4)
- 180 mOhms (1)
- 19 mOhms (1)
- 2.2 mOhms (2)
- 2.3 mOhms (1)
- 2.4 mOhms (1)
- 2.5 mOhms (2)
- 2.7 mOhms (3)
- 210 mOhms (4)
- 220 mOhms (8)
- 228 mOhms (1)
- 260 mOhms (3)
- 290 mOhms (1)
- 3.2 mOhms (1)
- 3.5 mOhms (1)
- 3.7 mOhms (1)
- 320 mOhms (1)
- 390 mOhms (1)
- 4 mOhms (1)
- 4.2 mOhms (5)
- 4.8 mOhms (1)
- 43 mOhms (1)
- 44 mOhms (1)
- 5.4 mOhms (1)
- 5.7 mOhms (1)
- 6 mOhms (1)
- 65 mOhms (2)
- 7 mOhms (1)
- 7.8 mOhms (1)
- 7.9 mOhms (1)
- 8 mOhms (1)
- 8.4 mOhms (2)
- 80 mOhms (1)
- 9 mOhms (1)
- Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage :
- Filtro seleccionado :
92 Produto
| Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
Obter UMA citação |
2,518
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 59 A | 10.5 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
Obter UMA citação |
2,995
Disponível EM stock
|
Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 40V PowerPAK 1212-8W | +/- 20 V | SMD/SMT | PowerPAK-1212-8W | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 16 A | 0.0065 Ohms | 1.5 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Obter UMA citação |
2,235
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 73 A | 7.9 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
Obter UMA citação |
1,600
Disponível EM stock
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH/900V/8A/QFET C-Series | 30 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 900 V | 6.3 A | 1.6 Ohms | 5 V | 35 nC | Enhancement | QFET | ||
|
|
Obter UMA citação |
4,205
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET 100V 1 N-CH 10.3mOhm DirectFET 20V 3.7Vgs | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-MN | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 10.3 A | 10.3 mOhms | 4.8 V | 35 nC | Enhancement | Directfet | ||
|
|
Obter UMA citação |
8,442
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 80 A | 4.2 mOhms | 1 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
7,471
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.2 mOhms | 1.2 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
6,144
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 98 A | 2.5 mOhms | 1.2 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
Obter UMA citação |
4,820
Disponível EM stock
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 25 V | Through Hole | TO-220-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20 A | 150 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | ||||
|
|
|
Obter UMA citação |
4,375
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET MV POWER MOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 76 A | 9 mOhms | 3 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
Obter UMA citação |
1,396
Disponível EM stock
|
STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET | 25 V | Through Hole | TO-220FP-3 | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 20 A | 150 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | ||||
|
|
Obter UMA citação |
3,426
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 150V 45A CanPAK3 MZ OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | WDSON-2-3 | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 150 V | 45 A | 13.1 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
2,900
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET 60VAUTO GRADE 1 N-CH HEXFET 7mOhms | 20 V | SMD/SMT | DirectFET-M4 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 68 A | 7 mOhms | 35 nC | Enhancement | ||||
|
|
Obter UMA citação |
4,847
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 40 A | 13 mOhms | 1.1 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
Obter UMA citação |
1,909
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 650V 15A VSON-4 | 20 V | SMD/SMT | VSON-4 | - 40 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 650 V | 15 A | 115 mOhms | 3 V | 35 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
4,836
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 100 A | 2.2 mOhms | 1.2 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
Obter UMA citação |
1,970
Disponível EM stock
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 60/20V 90A N-chnl PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 90 A | 11.3 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
4,389
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 79A TDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 80 A | 4.2 mOhms | 1 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
1,800
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 58 A | 10.7 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
906
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 12 A | 220 mOhms | 2.5 V | 35 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
2,476
Disponível EM stock
|
ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 25 A | 43 mOhms | 1 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Obter UMA citação |
536
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 600V 12A TO220-3 CoolMOS CP | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 12 A | 220 mOhms | 2.5 V | 35 nC | Enhancement | CoolMOS | ||
|
|
Obter UMA citação |
1,384
Disponível EM stock
|
ON Semiconductor | MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL | 20 V | SMD/SMT | WDFN-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 107 A | 4.8 mOhms | 1.2 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
Obter UMA citação |
1,382
Disponível EM stock
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET MV7 N Channel Power Trench MosFET | 20 V | SMD/SMT | Power-56-8 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 80 V | 65 A | 15.5 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | PowerTrench | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
400
Disponível EM stock
|
Fairchild Semiconductor | MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 60 V | 80 A | 10.8 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | |||
|
|
|
Obter UMA citação |
523
Disponível EM stock
|
ON Semiconductor | MOSFET 100V HD3E NCH | 20 V | SMD/SMT | TO-252-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 23 A | 44 mOhms | 2 V | 35 nC | ||||
|
|
|
Obter UMA citação |
1,401
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TSDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 30 V | 40 A | 4.2 mOhms | 1 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
782
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A D2PAK-2 OptiMOS 3 | 20 V | SMD/SMT | TO-263-3 | - 55 C | + 175 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 58 A | 10.7 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS | ||
|
|
|
Obter UMA citação |
414
Disponível EM stock
|
STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh | 25 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 600 V | 13 A | 260 mOhms | 35 nC | |||||
|
|
|
Obter UMA citação |
278
Disponível EM stock
|
Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 100V 58A TO220-3 OptiMOS 3 | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | - 55 C | + 175 C | Tube | 1 Channel | Si | N-Channel | 100 V | 58 A | 11 mOhms | 2 V | 35 nC | Enhancement | OptiMOS |
1 / 4 Página
