- Package / Case :
- Filtro seleccionado :
2 Produto
Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Obter UMA citação |
33
Disponível EM stock
|
IXYS | MOSFET P-Channel: Standard MOSFET | 25 V | Through Hole | TO-268-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 140 A | 10 mOhms | 400 nC | Enhancement | ||||
|
Obter UMA citação |
177
Disponível EM stock
|
IXYS | MOSFET TrenchP Channel Power MOSFETs | 15 V | Through Hole | TO-247-3 | - 55 C | + 150 C | Tube | 1 Channel | Si | P-Channel | - 100 V | - 140 A | 10 mOhms | - 2 V to - 4 V | 400 nC | Enhancement |
1 / 1 Página