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4 Produto
Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Vgs - Gate-Source Voltage | Mounting Style | Package / Case | Minimum Operating Temperature | Maximum Operating Temperature | Packaging | Number of Channels | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Rds On - Drain-Source Resistance | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | Qg - Gate Charge | Channel Mode | Tradename | |
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5,731
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 2.9 mOhms | 2.3 V | 63.4 nC | Enhancement | ||||
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1,639
Disponível EM stock
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Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 | 20 V | SMD/SMT | TDSON-8 | - 55 C | + 150 C | Reel | 1 Channel | Si | N-Channel | 75 V | 100 A | 2.9 mOhms | 2.3 V | 63.4 nC | Enhancement | OptiMOS | |||
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31
Disponível EM stock
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Toshiba | MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 128A 87W | 20 V | Through Hole | TO-220-3 | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 128 A | 2.5 mOhms | 1.4 V | 63.4 nC | Enhancement | ||||||
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50
Disponível EM stock
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Toshiba | MOSFET N-Ch 40V 4670pF 63.4nC 82A 36W | 20 V | Through Hole | TO-220FP-3 | + 175 C | 1 Channel | Si | N-Channel | 40 V | 82 A | 2.5 mOhms | 1.4 V | 63.4 nC | Enhancement |
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