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8 Produto
Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Pd - Power Dissipation | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage | Gain | Transistor Type | Maximum Drain Gate Voltage | |
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131
Disponível EM stock
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Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt | Screw | 440193 | + 150 C | Tube | 100 W | - | GaN | N-Channel | 150 V | 8.7 A | 2.7 V | 11 dB | HEMT | - | |||
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60
Disponível EM stock
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Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt | SMD/SMT | + 85 C | Tray | 450 W | GaN | 125 V | - 10 V, 2 V | 11 dB | HEMT | ||||||||
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122
Disponível EM stock
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Wolfspeed / Cree | RF JFET Transistors GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt | SMD/SMT | DFN-12 | + 150 C | Reel | 25 W | - | GaN SiC | N-Channel | 100 V | 2 A | - 10 V to + 2 V | 11 dB | HEMT | - | |||
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69
Disponível EM stock
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Qorvo | RF JFET Transistors 8-12GHz 25W GaN PAE 50% Gain 11dB | SMD/SMT | QFN-20 | + 225 C | Tray | 22 W | 49 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 1.8 A | - 2.7 V | 11 dB | HEMT | ||||
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100
Disponível EM stock
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz | Die | + 150 C | Tray | 4.2 W | GaAs | 8 V | 194 mA | - 12 V | 11 dB | pHEMT | |||||||
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150
Disponível EM stock
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Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 1mm Pwr pHEMT (0.35um) | SMD/SMT | Die 4 | + 150 C | Gel Pack | GaAs | 12 V | 300 mA | - 14 V | 11 dB | pHEMT | |||||||
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50
Disponível EM stock
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Qorvo | RF JFET Transistors 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB | SMD/SMT | QFN-20 | + 225 C | Tray | 19 W | 33 W | GaN SiC | N-Channel | 32 V | 1.3 A | - 2.7 V | 11 dB | HEMT | ||||
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Ver | Qorvo | RF JFET Transistors DC-12GHz 12mm Pwr pHEMT (0.35um) | SMD/SMT | Die 18 | + 150 C | Gel Pack | GaAs | 12 V | 3.6 A | - 8 V | 11 dB | pHEMT |
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