RF JFET Transistors - Inix Electronic

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Imagem	Modelo	Preço	Número		Existências	Fabricante	Descrever	Mounting Style	Package / Case	Maximum Operating Temperature	Packaging	Pd - Power Dissipation	Technology	Transistor Polarity	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	Id - Continuous Drain Current	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	Gain	Transistor Type
	NPTB00004A	1+ $4.7520 10+ $4.5760	Obter UMA citação	PDF RFQ	201 Disponível EM stock	MACOM	RF JFET Transistors DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT	SMD/SMT	SOIC	+ 200 C	Tray	11.6 W	GaN Si	N-Channel	100 V	2 mA	3 mA	16 dB	HEMT

NPTB00004A

MACOM

RF JFET Transistors DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT

Stock : 201

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