- Filtro seleccionado :
6 Produto
Imagem | Modelo | Preço | Número | Existências | Fabricante | Descrever | Mounting Style | Package / Case | Maximum Operating Temperature | Packaging | Output Power | Technology | Transistor Polarity | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | Id - Continuous Drain Current | Gain | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
Obter UMA citação |
1,919
Disponível EM stock
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET PLD1.5N | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | 8 W | Si | N-Channel | 40 V | 4 A | 13 dB | |||
|
Obter UMA citação |
3,161
Disponível EM stock
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET PLD1.5N | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | 8 W | Si | N-Channel | 25 V | 4 A | 14 dB | |||
|
Obter UMA citação |
882
Disponível EM stock
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors LANDMOBILE 7W PLD1.5W | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | 7.3 W | Si | N-Channel | - 0.4 V, 30 V | 15.2 dB | ||||
|
Obter UMA citação |
753
Disponível EM stock
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET PLD1.5N | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | 8 W | Si | N-Channel | 40 V | 4 A | 13 dB | |||
|
Obter UMA citação |
100
Disponível EM stock
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors VHV6 10W PULSE PLD1.5 | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | Si | N-Channel | 100 V | 25 dB | |||||
|
Obter UMA citação |
920
Disponível EM stock
|
NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors RF LDMOS FET PLD1.5 | SMD/SMT | PLD-1.5 | + 150 C | Reel | 3 W | Si | N-Channel | 40 V | 2 A | 15 dB |
1 / 1 Página